كيفية تحويل العاكس منخفض الطاقة إلى العاكس عالي الطاقة

نتعرف هنا على اثنين من تكوينات الدوائر البسيطة التي ستحول أي عاكس منخفض الطاقة إلى دائرة عاكس ضخمة عالية الطاقة.

ستجد الكثير من المحولات الصغيرة والمتوسطة الحجم في السوق تتراوح من 100 إلى 500 واط ، ويمكن رؤية نفس الشيء منشوراً في هذه المدونة. قد تبدو ترقية أو تحويل محولات الطاقة الصغيرة أو المتوسطة إلى عاكس ضخم عالي الطاقة بترتيب kvas أمرًا شاقًا ومعقدًا ، لكنه في الواقع ليس كذلك.

تحليل طبولوجيا العاكس

تشتمل جميع طبولوجيا العاكس بشكل أساسي على تردد مذبذب يتم تضخيمه بعد ذلك باستخدام أجهزة الطاقة إلى مستويات تيار عالية قبل الإغراق في المحول التصاعدي لإجراءات تعزيز الجهد النهائي.

مرحلة مكبر الصوت الحالية التي تستخدم أجهزة عالية التيار حيث يجب إجراء الترقية من أجل تحقيق أي مخرجات طاقة مطلوبة من العاكس.

تعتمد محولات العصر الحديث بشكل كبير على mosfets لمرحلة تحويل الطاقة المذكورة أعلاه ، ومع ذلك يمكن أيضًا استخدام BJTs لنفسها بشكل فعال للغاية ، في الواقع بشكل موثوق به كثيرًا من mosfets ...

كيفية ترقية الطاقة المنخفضة إلى الطاقة العالية

يوضح الرسم البياني التالي مرحلة خرج طاقة بسيطة وفعالة للغاية والتي يمكن دمجها مع أي مخرجات IC لقطب الطوطم مثل IC 4047 و IC TL494 و IC SG3525 و IC 4017 (المسجلة مع IC555) ، للحصول على تحويلات تصل إلى 1.5kva.

الأجهزة الرئيسية في الدائرة هي مزيج من TIP122 و TIP35 التي أصبحت مكاسب عالية ، زوج ترانزستور عالي التيار ، قادرة على تعزيز التيار إلى المستويات الضخمة المقدرة على الفور.

تم تصنيف كل وحدة من وحدات الجهاز لإنتاج ما لا يقل عن 30 × 24 = 720 واط ، لذلك من خلال إضافة المزيد من هذه الوحدات بالتوازي ، يمكن توقع أي نطاق كيلو فولت أمبير مرغوب من التكوين

استخدام Power BJTs

يمكن أن يكون استخدام BJTs موثوقًا للغاية وأبسط ولكنه ضخم هادئ ، إذا كانت المساحة هي مشكلتك وتحتاج إلى الترقية من العاكس المنخفض إلى الطاقة العالية بالطريقة الأكثر إحكاما ، فإن mosfets يصبح الخيار الشائع وقد يكون سلكيًا كما هو موضح في الرسم التخطيطي التالي

يتم اشتقاق المدخلات مرة أخرى من أي مخرجات IC لقطب الطوطم ، ويمكن تصنيف MOSFET وفقًا للترقية المطلوبة من أقل إلى أعلى الأحجام.

يقترح تكامل الصمام الثنائي إدخالًا بسيطًا لـ PWM وهو أمر اختياري ، ولكن يمكن استخدامه إذا كان ناتج موجة جيبية معدلة مقصودًا تضمينه في الترقية.

مضيفا MOSFETs بالتوازي

يمكن تنفيذ الأفكار الموضحة أعلاه لترقية دائرة عاكسة منخفضة الطاقة إلى إصدار طاقة أعلى إلى أي مستوى مرغوب ، وذلك ببساطة عن طريق إضافة عدة MOSFETs بالتوازي.

تعد إضافة MOSFETs بالتوازي أسهل من إضافة BJT بالتوازي. يتعلق الأمر فقط بتوصيل جميع المصارف وجميع المصادر معًا ، ثم ربط جميع البوابات معًا من خلال مقاومات فردية 10 أوم.

ترقية المحول والبطارية

تشبه MOSFETs المفاتيح ، مما يعني أنه فقط من خلال ترقية MOSFETs ستعزز فقط جزء التبديل للتعامل مع القوة الكهربائية العالية والتيار. ومع ذلك ، لتحقيق القوة الكهربائية العالية المرغوبة بالفعل ، يجب أيضًا ترقية المحول وتصنيف البطارية وفقًا لذلك.

على سبيل المثال ، إذا تمت ترقية العاكس 100 واط إلى 500 وات ، فإن البطارية مع MOSFETs آه وسيتعين أيضًا زيادة القوة الكهربائية للمحول إلى القيم المعتادة 3 مرات أو أعلى.

ستكون الاستراتيجيات البسيطة الموضحة أعلاه كافية لتمكينك من ترقية أو تعديل أو تحويل أي تصميم عاكس صغير أو منخفض الطاقة إلى دائرة عاكس عالية الطاقة بمواصفات القوة الكهربائية المطلوبة.