يناقش المنشور دائرة مضخم طاقة بسيطة ورخيصة الثمن من فئة MOSFET والتي يمكن استخدامها لأي تطبيق لمكبر صوت صغير الحجم.

بقلم: ذروباجيوتي بيسواس

مكبر صوت سلبي صفري

ستوضح هذه البيانات التالية بالتفصيل كيفية بناء مكبر للصوت به ردود فعل سلبية صفرية مما يعني بناء مكبر صوت مكون من صفر. سيكون مكبر الصوت أحادي الطرف والفئة أ.

بادئ ذي بدء ، دعنا أولاً نضع تصميم الدائرة لمكبر الصوت المقترح ، على النحو الوارد أدناه:

كيف نبني الدائرة

لبناء الدائرة نحتاج إلى: موسفيت وبعض المكثفات والمقاومات ومصدر طاقة قوي يجب تصفيته بشكل صحيح باستخدام مكثفات مرشح كبيرة. تم بناء مكبر الصوت الذي نقوم ببنائه من خلال دمج الجهاز 2SK1058 N-Channel MOSFET من هيتاشي. يظهر مخطط الدبوس أدناه:

المكثفات التي استخدمناها في هذه التجربة هي مكثفات Sprague. يستخدم هذا لربط المدخلات والمخرجات بمحلل إلكترولي كبير مع مكثف تجاوز بوليستر قدره 10 درجة فهرنهايت. لإدارة الحمل ، استخدمنا أربعة مقاومات جرح من الأسلاك غير الحثية بقدرة 10 وات.

ومع ذلك ، لتحقيق مقاومة إجمالية قدرها 15 أوم ، فإن المقاومات سلكية في سلسلة من اثنين ، مما يجعل 30 أوم بالإضافة إلى إعداد المجموعات بالتوازي. يرجى ملاحظة أن الجهاز سيكون ساخنًا وعرضة للاحتراق أثناء وضع الخمول ، وبالتالي فإن الحذر أمر بالغ الأهمية.

“ما هو جسر في التواصل ”

فئة أ لا يمكن أن يكون خيارًا مثاليًا لتصميم مضخم صوت عالي الكفاءة ، ولكن نظرًا لأننا نطبق الفكرة في هذا الإعداد ، كان علينا استخدام أكثر من 20 واط من الطاقة لتوليد طاقة متواضعة 4.8 واط صوتي . كان المبرد الحراري المستخدم في mosfet 0.784 درجة مئوية / واط.

“كيف تتحقق مما إذا كان المكثف جيدًا ”

مزود الطاقة

مصدر الطاقة المستخدم لهذه الفئة A من MOSFET مضخم الطاقة الدائرة عبارة عن محول 18VAC و 160VA EI متصل بمقوم جسر 25 أمبير لتوليد طاقة تيار مستمر 24 فولت.

إلى مرشح وسلس القوة التي استخدمناها من مكثفات 10000 درجة فهرنهايت و Hammond تصنع خنق 10mH من 5 أمبير فوق إعداد مرشح pi [Cap - Choke - Cap]. كان التحيز عبر قدر 100K مع المقاوم 1M.

يجب توخي الحذر لضبط الوعاء فقط طالما أن نصف التيار المستمر يتجاوز مقاومات الحمل و MOSFET.