تعتبر منظمات الجهد جزءًا مهمًا من الدائرة الإلكترونية والكهربائية للتشغيل السليم. هذه متوفرة كإصدارات جهد الخرج الثابت وكأشكال جهد خرج قابل للتعديل. أحد منظمي الجهد الدقيق 16 فولت هو TLV767. TLV767 خطي منظم ضغط كهربي . لها تيار هادئ منخفض وقيمة PSRR عالية. إنه قادر على التعامل مع تيار الحمل 1 أ. تستخدم التطبيقات ذات قضبان إمداد الطاقة الحساسة للغاية هذا الجهاز. يحتوي جهاز LV767 على دائرة حد تيار متكاملة قابلة للطي ، ودائرة تمكين الإخراج ، ودائرة إغلاق حراري ، ودائرة قفل الجهد المنخفض تشتهر TLV767 بالأداء العابر للخط والتحميل الممتاز.
TLV767 كتلة الرسم التخطيطي
يظهر أدناه مخطط كتلة TLV767.
TLV767 كتلة الرسم التخطيطي
تمكين الإخراج
عندما يكون جهد دبوس التمكين أكبر من جهد الدخل عالي المستوى لدبوس EN ، يتم تمكين جهد الخرج. يتم تعطيل الإخراج عندما يكون جهد طرف التمكين أقل من جهد الدخل المنخفض المستوى لدبوس EN.
يمكن ترك دبوس EN عائمًا لتمكين الجهاز لأنه يحتوي على تيار سحب داخلي على دبوس EN.
الجهد المتسرب
عندما يمر الترانزستور يعمل بشكل كامل ، عند تيار الخرج المقنن ، يُعرف الفرق بين جهد الدخل والجهد الناتج باسم جهد التسرب.
فولدباك الحالي الحد
لحماية الجهاز من عيوب التيار عالية الحمل العابرة ، يحتوي الجهاز على دائرة حد للتيار الداخلي. الحد الحالي هو مخطط هجين عالي الجدار قابل للطي. عندما يكون الجهاز في الحد الحالي ، لا يتم تنظيم جهد الخرج.
انخفاض الجهد تأمين
لمراقبة جهد الدخل وللسماح بتشغيل وإيقاف تشغيل جهد الخرج المتحكم به والمتسق ، يحتوي الجهاز على دائرة قفل مستقلة للجهد المنخفض.
الاغلاق الحراري
يحتوي الجهاز على دائرة حماية من الإغلاق الحراري لتعطيل الدائرة عندما تتجاوز درجة حرارة الوصلة القيمة الموصى بها.
كيف تستعمل؟
هناك بعض الخطوات التي يجب اتباعها أثناء استخدام منظم الجهد TLV767.
مخطط حلبة TLV767
مقاومات ردود فعل الجهاز القابلة للتعديل
لضبط جهد الخرج في جهاز الإصدار القابل للضبط ، يلزم وجود مقاومات مقسم ردود الفعل الخارجية. يتم الإعداد وفقًا للمعادلة التالية: -
V-OUT = V-FB x (1+ R1 / R2).
أنواع المكثفات الموصى بها
مقاومة سلسلة مكافئة منخفضة المكثفات الخزفية عند الإدخال والإخراج لجعل الجهاز مستقرًا. يمكن توفير ثبات سعوي جيد عبر درجات الحرارة المكثفات التي تستخدم مواد عازلة مصنفة X7R و X5R و C0G.
متطلبات مكثفات الإدخال والإخراج
إذا كانت مقاومة المصدر أكثر من 0.5Ω يوصى باستخدام مكثف دخل. إذا تم توقع خط وقت الصعود السريع الكبير وعبور الحمل ، فيمكن استخدام قيم أكبر للمكثفات.
مكثف الإخراج يزيد من الأداء الديناميكي للجهاز.
تيار عكسي
تلف الجهاز بسبب التيار العكسي المفرط. في هذا الجهاز ، لا يقتصر التيار العكسي على الداخل. يجب استخدام نظام الحد الخارجي عند توقع تيار عكسي مرتفع.
مكثف التغذية الأمامية
يعمل هذا المكثف على تحسين أداء PSRR العابر للضوضاء والجهاز. بالنسبة لإصدارات الجهد القابل للتعديل ، يتم توصيل هذا من طرف OUT إلى دبوس FB.
تبديد الطاقة
يجب ألا تحتوي منطقة ثنائي الفينيل متعدد الكلور حول المنظم على أي أجهزة مولدة للحرارة يمكن أن تسبب ضغطًا حراريًا إضافيًا. يعتمد تبديد الطاقة هنا على ظروف التحميل بالإضافة إلى فرق جهد الدخل إلى الخرج.
يتم تحديد درجة الحرارة المحيطة القصوى المسموح بها للجهاز من خلال قيمة تبديد الطاقة للجهاز.
تكوين دبوس TLV767
يتوفر TLV767 كإصدار قابل للتعديل وإصدار جهد خرج ثابت. هذان النوعان لهما نفس النوع من العبوات لكن تكوينات الدبوس تختلف.
رسم تخطيطي لـ TLV767
تكوين الدبوس لحزمة 6-Pin WSON DRV للإصدار القابل للتعديل كما يلي-
- Pin-1 هو دبوس الإخراج OUT. يتم توصيل مكثف خرج بالقيمة الموصى بها بهذا الدبوس.
- الدبوس 2 هو دبوس التعليقات FB. يعمل هذا الدبوس كمدخل لمكبر الخطأ. يستخدم هذا الدبوس أيضًا لضبط جهد خرج الجهاز باستخدام مقاومات خارجية.
- Pin-3 و Pin-5 عبارة عن دبابيس أرضية GND.
- Pin-4 هو دبوس التمكين EN. يؤدي رفع هذا الدبوس إلى تمكين الجهاز. يحتوي هذا الدبوس على ملف داخلي المقاوم سحب ما يصل ويمكن تركه عائمًا لتمكين الجهاز أو يمكن توصيله بدبوس الإدخال.
- Pin-6 هو دبوس الإدخال IN.
- يتم توفير الوسادة الحرارية لحماية الجهاز.
بالنسبة لتكوين الدبوس للإصدار الثابت ، تتشابه جميع المسامير مع الإصدار القابل للتعديل باستثناء الدبوس -2. هنا يتم استخدام الدبوس 2 كدبوس استشعار الإخراج بدلاً من دبوس التعليق. هذا الدبوس متصل بدبوس الإخراج.
تحديد
مواصفات TLV767 كالتالي-
- نطاق جهد الدخل من 2.5 فولت إلى 16 فولت.
- هذه متوفرة كإصدار جهد قابل للتعديل وإصدار جهد ثابت.
- نطاق جهد الخرج للنسخة القابلة للتعديل من 0.8 فولت إلى 13.6 فولت.
- إصدار الجهد الثابت لديه نطاق جهد الخرج من 0.8 فولت إلى 6.6 فولت.
- TLV767 لديه دقة 1٪ على الحمل ودرجة الحرارة.
- هذا الجهاز لديه منخفض أناس50 µ
- TLV767 لديه وقت بدء داخلي ناعم يبلغ 500 ثانية.
- هذا الجهاز لديه قيود قابلة للطي للخلف.
- يحتوي TLV767 على دائرة حماية حرارية.
- يعمل هذا الجهاز في حالة مستقرة عند استخدام مكثفات سيراميك 1-F مع الدائرة.
- يحتوي هذا المنظم على PSRR عالي يبلغ 70 ديسيبل عند 1 كيلو هرتز و 46 ديسيبل عند 1 ميجا هرتز.
- متوفر كحزمة WSON ذات 6 سنون 2 مم × 2 مم.
- الحد الأقصى لتيار الإخراج محدود داخليًا.
- درجة حرارة تقاطع التشغيل من -50 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية.
- تتراوح درجة حرارة التخزين من -65 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية.
- في ظل ظروف التشغيل الموصى بها ، يكون نطاق جهد التمكين من 0 فولت إلى 16 فولت.
- قيمة مكثف الإخراج المفضل هي 2.2 µF.
- قيمة مكثف الإدخال هي 1 درجة فهرنهايت.
- يتم استخدام مكثف التغذية إلى الأمام القابل للتعديل من 10pF.
- الحد الأدنى لتيار التشغيل للنسخة القابلة للتعديل هو 5 درجة فهرنهايت.
تطبيقات TLV767
تطبيقات TLV767 كالتالي-
- يتم تطبيق TLV767 في أجهزة التلفاز والشاشات.
- يستخدم هذا الجهاز في الأجهزة.
- تستخدم لوحات التحكم في محرك المحرك TLV767.
- جهد منخفض ميكروكنترولر ، معالجات.
- تستفيد الأجهزة الطرفية للكمبيوتر الشخصي وأجهزة الكمبيوتر المحمولة واللوحات الأم من منظم TLV767.
- تحتوي الطابعات أيضًا على منظم جهد TLV767.
- تُستخدم منظمات الجهد TLV767 في نقاط وصول WiFi ودوائر التوجيه.
بديل IC
بعض IC المتوفرة في السوق والتي يمكن استخدامها كبديل لـ TLV767 هي TLV758P ، LM1117 ، LP5907 ، TLV1117 ، TPS795 ، LP5912 ، TPS7A90 إلخ ...
يمكن العثور على الخصائص الكهربائية لـ TLV767 تحت ظروف درجات حرارة مختلفة في ورقة البيانات التي قدمتها شركة Texas Instruments. أي من خصائص TLV767 أثبتت أنها أكثر فائدة لك في تطبيقك؟
رصيد الصورة:
